在陶瓷抛光机进行CMP过程中颗粒与抛光片相互作用；集成电线si衬底，介电层，金属层等，它们的抛光机理目前还没均未得到清楚的认识，在没有氧化剂条件下或者研磨颗粒条件下的抛光液中进行试验都表明不可能得到要求的抛光去除量。CMP过程中的机械作用通过在两种典型的接触模式下存在，即流体动力学模型和固体接触模型，当抛光表面承受压力较小，相对速度较大时，在抛光垫与抛光片表面间形成一层薄流体膜，抛光液中固体颗粒大小比流体膜厚度小得多，大部分颗粒对材料去除没有贡献，材料去除量主要以悬浮在抛光液中颗粒的三体研磨和抛光液中化学腐蚀作用，压力较大，相对速度较小时，被抛光表面片与抛光垫表面相互接触，现体和三体磨损同时存在。在在两体磨损中嵌入抛光垫表面的颗粒与犁削效应实现材料去除，在抛光垫与抛光表面未接触区的凹陷处的颗粒不会嵌入抛光垫，没有起到作用以致三体磨损。相对抛光片/抛光垫接触区民生的两体磨损而言，三体磨损材料的去除量可以忽略。

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